Китайская компания Shenzhen MMIC Microelectronics Co., Ltd. (SZMMIC) [1] занимается проектированием и производством интегральных микросхем (ИМС) ВЧ- и СВЧ-диапазонов. Головной офис компании находится в Шэньчжэне, а научно-исследовательский центр — в Чэнду и его филиале в Шанхае.
ИМС ВЧ- и СВЧ-диапазонов являются ключевыми устройствами в таких сферах, как спутниковая связь, радиолокация, радиоэлектронное подавление, а также в частных сетях, контрольно-измерительной аппаратуре и др.
Благодаря наличию опытной команды разработчиков, внедренных передовых технологий и патентов на разработанные высокопроизводительные изделия, компания обеспечивает заказчиков ИМС высокой степени интеграции.
В сложившихся условиях ограничения поставок зарубежных электронных компонентов особенно актуальным становится сотрудничество с производителями, чьи товары позволяют решить задачи отечественных разработчиков.
Одним из таких производителей и является компания SZMMIC.
Основные направления ее работы следующие:
-
проектирование ИМС ВЧ- и СВЧ-диапазонов;
-
создание ИМС на основе арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN);
- полный цикл нарезки и монтажа кристаллов в корпуса с последующим их тестированием.
Компания разрабатывает и производит изделия следующих групп:
-
GaAs MMIC Low Noise Amplifiers — малошумящие усилители (МШУ);
-
GaAs MMIC Driver Amplifiers — предварительные усилители мощности;
-
GaAs MMIC Digital Phase Shifters — цифровые фазовращатели;
-
GaAs MMIC Digital Step Attenuators — ступенчатые аттенюаторы с цифровым управлением;
-
GaAs MMIC FET Switches — FET-переключатели;
-
GaAs MMIC Mixers — РЧ смесители;
-
GaAs MMIC Frequency Multipliers — умножители частоты;
-
GaAs MMIC Power Dividers — делители мощности;
-
GaAs MMIC Filters — фильтры;
-
GaAs MMIC Equalizers — эквалайзеры;
-
GaAs MMIC Fixed Attenuators — аттенюаторы с фиксированным ослаблением;
-
GaAs MMIC Drivers — драйверы;
-
GaAs MMIC Multifunctional Switch&Filters — многофункциональные ИМС СВЧ (переключатели и фильтры);
-
GaN PA Devices — усилители мощности на нитриде галлия;
-
GaAs PA Devices — усилители мощности на арсениде галлия;
- PA Devices in R&D — усилители мощности в исследованиях и разработке различных устройств.
Так, все монолитные ИМС впереди имеют обозначение МС1.
Затем идет цифра, характеризующая группу прибора:
0 — малошумящие усилители;
1 — усилители мощности;
2 — предварительные усилители мощности;
3 — цифровые фазовращатели;
4 — цифровые ступенчатые аттенюаторы;
5 — FET-переключатели;
6 — РЧ смесители и умножители частоты;
7 — пассивные компоненты (фильтры, делители, эквалайзеры, аттенюаторы и т. п.);
8 — драйверы;
9 — мультифункциональные ИМС (переключатели и фильтры).
После этого идет серийный номер прибора. Например, обозначение MC10461 — малошумящий усилитель серии 461.
Усилители мощности имеют впереди обозначение МС2,
Затем следует буква:
-
буква N — нитрид галлия (GaN) или C — арсенид галлия (GaAs),
-
затем шесть цифр, указывающих частотный диапазон,
-
затем после дефиса буква Р и насыщенная выходная мощность.
Например, обозначение MC2N012014-P47 — усилитель мощности на нитриде галлия, диапазон частот 1,2–1,4 ГГц, выходная мощность 47 дБм.
Рассмотрим вначале изделия некоторых из групп монолитных ИМС.
В группе 0 представлено более 50 ИМС малошумящих усилителей (Low Noise Amplifiers).В таблице 1 приведены параметры некоторых из них.
Напряжение питания почти всех ИМС этой группы составляет 5 В.
На рис. 1 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС10010, а в таблице 2 — назначение ее выводов.
В таблице 3 приведены параметры некоторых ИМС группы 2 — предварительных усилителей мощности (Driver Amplifiers).
Напряжение питания всех ИМС этой группы составляет 5 В.
На рис. 2 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС12001, а в таблице 4 — назначение ее выводов.
В таблице 5 приведены параметры ИМС группы 3 — цифровых фазовращателей (Digital Phase Shifters) с разрядностью 6 битов.
В таблице 6 приведены параметры некоторых ИМС группы 4 — ступенчатых аттенюаторов с цифровым управлением (Digital Step Attenuators).
На рис. 3 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС1415, а в таблице 7 — назначение ее выводов.
В таблице 8 приведены параметры некоторых ИМС группы 5 — FET переключателей (FET Switches) с временем переключения ≤ 50 нс
и регулировкой напряжения от 0 до +3,3 В.
На рис. 4 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС1526, а в таблице 9 — назначение ее выводов.
В таблице 10 приведены параметры некоторых ИМС группы 6 — РЧ смесителей (Mixers).
На рис. 5 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС16128 пассивного сдвоенного балансного смесителя,
а в таблице 11 — назначение ее выводов.
В таблице 12 приведены параметры ИМС МС16701 из той же группы — умножителя частоты (Frequency Multipliers).
На рис. 6 приведена структурная схема ИМС МС16701 — умножителя частоты, а в таблице 13 — назначение ее выводов.
В группе 7 располагаются более 60 различных приборов (делители мощности, фильтры, эквалайзеры, фиксированные аттенюаторы).
Рассмотрим далее в качестве примеров несколько ИМС каждого типа.
В таблице 14 приведены параметры ИМС МС17264 группы 7 — делителя мощности (Power Dividers).
На рис. 7 приведена структурная схема ИМС МС17264 — делителя мощности,
а в таблице 15 — назначение ее выводов.
В таблице 16 приведены параметры двух ИМС из группы 7 — фильтров (Filters).
На рис. 8 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС1717 (полосовой фильтр),
а в таблице 17 — назначение ее выводов.
В таблице 18 приведены параметры двух ИМС из группы 7 — эквалайзеры (Equalizers).
На рис. 9 в качестве примера приведена структурная схема ИМС МС17027 — эквалайзера,
а в таблице 19 — назначение ее выводов.
В таблице 20 приведены параметры ИМС МС17942 из группы 7 — аттенюатора с фиксированным ослаблением (Fixed Attenuators).
На рис. 10 приведена структурная схема ИМС МС17942 — аттенюатора с фиксированным ослаблением,
а в таблице 21 — назначение ее выводов.
В таблице 22 приведены параметры двух ИМС группы 8 — драйверов (Drivers).
В таблице 23 приведены параметры двух ИМС группы 9 — мультифункциональных ИМС (полосовых фильтров).
Рассмотрим теперь усилители мощности.
Все ИМС усилителей мощности на нитриде галлия (GaN PA Devices) (их выпускается компанией около 30 видов)
выполнены в корпусе IK (рис. 11), который имеет следующие габариты: 24×17,4×4,4 мм.
В таблице 24 для примера приведены параметры двух ИМС этого типа.
Компанией выпускается около 20 видов ИМС усилителей мощности на арсениде галлия (GaAs PA Devices).
Они работают в режиме непрерывной волны и выполняются в двух видах корпусов —
IK (габариты см. выше) и IВ с габаритами 21,3×13,1×5,2 мм.
В таблице 25 для примера приведены параметры двух ИМС этого типа.
Для целей исследований и разработки различных устройств компанией выпускается более 50 ИМС усилителей мощности
(PA Devices in R&D) как на базе арсенида галлия, так и на базе нитрида галлия.
Одни из них работают в режимах непрерывной волны, другие — в импульсном режиме.
Эти ИМС выполняются в трех видах корпусов: IK, IВ и Customized.
Габариты первых двух указаны выше, габариты последнего следующие: 30,8×27,4×5,0 мм.
В таблице 26 для примера приведены параметры двух таких ИМС.
Официальным дистрибьютором компании Shenzhen MMIC Microelectronics Co. Ltd. в России является компания ИНЕЛСО.